gl-media рекламное агентство

2. Физические основы твердотельной электроники 173

2.1. Свойства вакуума 15

2.4. Полевой транзистор на гетероструктурах 254

Контрольные вопросы 228

5.1. Классификация базовых матричных кристаллов 316

2.6.2. Малосигнальные параметры 260

4. Приборы и устройства вакуумной электроники 98

Рекомендуемая литература 359

3.2.5. Эмиссия горячих электронов 52

6.4. Монолитные арсенид-галлиевые ИС 330

3.2.7. Автоэлектронная эмиссия 53

2.3. Поглощение и усиление 350

7.1. Элементы интегральной оптики 416

1. Краткая историческая справка 164

3.2.2. Фотоэлектронная эмиссия 49

Задачи и упражнения 272

Часть I. Вакуумная и плазменная электроника 5

2.2. Спектральные линии 349

Контрольные вопросы 96

1.1. Третья транзисторная революция — рождение микроэлектроники 234

количество страниц: 752 стр. переплет: твердый

5.4. Излучение плазмы 141

4.5.3. Приборы типа "сигнал—сигнал" 120

Щука А.А. автор/составитель Щука А.А., найти все товары

Заключение 229

Контрольные вопросы 151

3.2.1. Термоэлектронная эмиссия 47

3.4. Интегральные конденсаторы 293

3.3. Эмиттеры свободных электронов 55

4.4.4. Лампы обратной волны 110

Контрольные вопросы 405

2.6.1 Физические основы работы 259

2. Физические основы квантовой электроники 346

Содержание:

Рекомендуемая литература 151

5.3. Процессы в плазме 137

3. Вакуумная электроника 45

2.1. Молекулярно-лучевая эпитаксия 508

Рекомендуемая литература 323

код: 352803/64

4.2. Газовые лазеры 379

3.5. Устройства управления электронным пучком 68

2.6. Эпитаксиально-планарный биполярный транзистор 257

Контрольные вопросы 44

Задачи и упражнения 217

Введение 7

Рекомендуемая литература 196

4.6.1. Вакуумные фотоэлементы 122

1.2. Грядет ли новая транзисторная революция? 238

5.3. Система на кристалле 322

Контрольные вопросы 359

3.7.1. Наведение тока при движении электронов в вакууме 80

2.3.2. Электронно-дырочные переходы 185

Рекомендуемая литература 393

Контрольные вопросы 300

3.4.2. Однородное магнитное поле 59

Введение 233

Введение 453

4.1.1. Твердотельные лазеры 371

7. Введение в интегральную оптику 416

4.2. Условные обозначения 307

Контрольные вопросы 422

2.8. Ионный синтез квантовых наноструктур 522

3.1. Способы изоляции элементов 285

2.5. V-МДП-транзисторы 257

Заключение 450

4.5. Электронно-лучевые приборы 114

Контрольные вопросы 414

2.9. Методы зондовой нанотехнологии 524

6.3. Интегральные транзисторы СВЧ-диапазона 328

5. Плазменная электроника 134

4.4. Применение и эксплуатация интегральных схем 314

дата выпуска: 2008 г.*

6.2. Приборы отображения информации 153

6.1. Ионные приборы 152

4.1. Принципы классификации 301

9.1. Оптические сигналы 430

3. Полупроводниковые приборы 197

Задачи и упражнения 297

Рекомендуемая литература 449

5.3. Волоконные световоды 403

9.5. Структуры с пониженной размерностью 443

1.2.3. Рентгенолитография 467

1. Краткая историческая справка 234

2.8. Транзисторные структуры интегрально-инжекционной логики 265

Содержание. Предисловие 3

3.2.3. Вторичная электронная эмиссия 51

9.2.3. Голографические запоминающие устройства 435

1.2.5. Лазерная литография 471

9.5.2. Фотоприемники на квантовых точках 447

Рекомендуемая литература 300

9.4. Когерентные оптические системы аналоговой обработки информации 438

3.2.6. Экзоэлектронная эмиссия 53

4.5.2. Прибор типа "свет—сигнал" 116

Рекомендуемая литература 133

формат: 70x100/16 (170x240 мм)

Контрольные вопросы 196

5.2. Электрический разряд в газах 134

6.3. Гетеродинный прием оптического излучения 412

Рекомендуемая литература 158

3. Элементная база интегральных схем 285

3.3. Тиристоры 207

3.5.3. Управление магнитной оптикой 75

3.6. Полупроводниковые датчики 213

Контрольные вопросы 393

2.2. Интегральные униполярные транзисторы 248

2.1. Полупроводники и их структура 173

Контрольные вопросы 507

Контрольные вопросы 533

ISBN: 978-5-9775-0160-6

3.3. Интегральные резисторы 291

4.1. Лазеры на конденсированных средах 371

5.2. Оптические волноводы 398

2.3. Формирование структур на основе коллоидных растворов 515

6.1. Общие положения 324

язык: русский

2. Процессы нанотехнологий 508

3.4.3. Движение электрона в скрещенных полях 63

6.2. Фотоприемники с внутренним усилением 410

9.5.1. Лазерные наноструктуры 445

Контрольные вопросы 323

2.3. Явления переноса носителей 181

Часть V. Процессы микро- и нанотехнологии 451

3.4.1. Однородное электрическое поле 57

3.2. Интегральные диоды 288

3.6.1. Резонаторные методы скоростной модуляции электронов 77

1.2. Процессы литографии 457

1.4. Процессы обработки поверхности 484

Рекомендуемая литература 228

4.6.2. Фотоэлектронные умножители 123

6. Приемники излучения 407

3.1. Полупроводниковые диоды 197

Задачи и упражнения 352

1.2.2. Электронолитография 462

1. Краткая историческая справка 9

1.3. Линии развития, параллельные транзистору 239

3.2.8. Потенциальная ионно-электронная эмиссия 55

4.1. Классификация приборов 98

Заключение 333

2.3.4. Контакты 193

Контрольные вопросы 429

7.3. Интегрально-оптические схемы 420

Задачи и упражнения 142

2.2. Методы создания вакуума 22

4.3. Основные параметры интегральных схем 310

1.2.1. Фотолитография 458

3.7.3. Процессы взаимодействия электронов с веществом детектора 83

5.5. Диагностика плазмы 142

4.4.1. Электронные лампы СВЧ 106

3.4. Полупроводниковые излучатели 208

3.1. Модель прибора вакуумной электроники 45

3.6. Управление скоростью электронов 77

6.2. Элементная база электроники СВЧ 325

3.5.2. Управление электронной оптикой 71

2.9. Транзистор с барьером Шоттки 265

3.7. Детектирование и преобразование энергии электронного потока 80

Рекомендуемая литература 284

Задачи и упражнения 389

3.5.1. Электростатическая отклоняющая система 68

5.1. Основные понятия 134

2.6. Сверхтонкие пленки металлов и диэлектриков 520

2. Физика и техника вакуума 15

8.1. Элементная база 424

4.1.2. Жидкостные лазеры 377

4.4.5. Магнетроны 111

1.6. Типовые технологические маршруты производства ИС 495

3.5. Полупроводниковые фотоприемники 209

1.5. Сборка интегральных схем 493

тираж: 2000 экз.

8. Введение в оптоэлектронику 424

9.2. Голография 432

Заключение 159

9.3. Интерферометрические методы 437

1.3.2. Легирование полупроводников 475

1.4.3. Металлизация поверхности 490

Задачи и упражнения 124

3.4. Управление полями потоками электронов 57

2.2. Газофазная эпитаксия из металлоорганических соединений 511

1.4.1. Окисление кремния 484

8.2. Оптоэлектронные устройства обработки информации 428

Рекомендуемая литература 370

6.3. Ионные приборы на углеродных нанотрубках 155

7.2. Элементная база интегральной оптики 417

1.3.1. Эпитаксия 471

стандарт: 4 шт.

3.2. Транзисторы 203

4.4.2. Клистроны 106

Рекомендуемая литература 507

4.2. Электронные лампы 98

Задачи и упражнения 365

3.3.1. Электронная пушка 55

1.1. Процессы первичной обработки материалов 454

2.7. Многоэмиттерные и многоколлекторные транзисторы 264

3.6.2. Нерезонансные устройства скоростной модуляции 79

2.5. Методы молекулярного наслаивания и атомно-слоевой эпитаксии 518

4.6. Фотоэлектронные приборы 122

3.7.2. Отбор энергии от электронного потока 82

2. Интегральные транзисторные структуры 247

4.4.3. Лампы бегущей волны 109

9.2.2. Голографическая элементная база 435

Контрольные вопросы 448

4. Классификация интегральных схем 301

2.2.1. МДП-транзисторы с индуцированным каналом 248

1.3. Процессы локального изменения свойств полупроводников 471

Введение 163

5. БМК и ПЛИС 316

1.2.4. Ионная литография 469

Часть III. Микроэлектроника 231

Задачи и упражнения 499

4.5.4. Приборы типа "свет—свет" 121

9. Оптические методы обработки информации 430

1. Краткая историческая справка 338

3.2.4. Кинетическая ионно-электронная эмиссия 52

1.4.2. Травление 484

2.2. Носители заряда в полупроводниках 175

1. Технологические процессы изготовления ИС 454

1.1. Эпоха транзисторизации 168

Рекомендуемая литература 97

Контрольные вопросы 284

Рекомендуемая литература 332

2.2.2. МДП-транзисторы со встроенным каналом 250

Часть II. Твердотельная электроника 161

издание: 2-е

2.1. Спонтанное и вынужденное излучения 346

2.3. Методы измерения вакуума 26

Введение 337

3. Принципы работы лазера 360

Рекомендуемая литература 406

количество томов: 1

2.3.1. Барьеры на границах кристалла 183

5. Управление световыми потоками 394

Рекомендуемая литература 429

6.1. Фотодиоды 407

Рекомендуемая литература 44

Задачи и упражнения 156

6. Приборы и устройства плазменной электроники 152

5.2. Программируемые логические интегральные схемы 320

9.2.1. Принципы голографической обработки информации 432

2.4. Золь-гель технология 517

2.4. Методы течеискания 37

2.2.3. Комплементарные структуры 251

Рекомендуемая литература 315

1.4. Место микроэлектроники в сфере высоких технологий 244

Рекомендуемая литература 415

3.2. Электронная эмиссия 46

2.3.3. Гетеропереходы 191

2.3. Транзистор с управляющим p—n-переходом 252

Контрольные вопросы 369

Контрольные вопросы 133

Рекомендуемая литература 423

2.10. Перспективные транзисторные структуры 266

4. Типы лазеров 371

4.5.1. Приборы типа "сигнал—свет" 114

Часть IV. Квантовая и оптическая электроника 335

2.1. Классификация транзисторных структур 247

Контрольные вопросы 158

Контрольные вопросы 332

Задачи и упражнения 86

5.1. Устройства управления 394

2.7. Самоорганизация гетероэпитаксиальных структур 520

6. Интегральные схемы СВЧ-диапазона 324

4.3. Электровакуумные микролампы 105

4.4. СВЧ-приборы 106

Задачи и упражнения 40